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通用去膠方案
點(diǎn)擊量:456 日期:2023-08-10 編輯:硅時(shí)代
在去膠發(fā)生困難的情況下(例如在密集的等離子蝕刻或濺射之后),超聲或兆聲清洗會(huì )對去除光刻膠帶來(lái)很大的幫助。但是,在此過(guò)程中必須保護襯底上的敏感結構,否則將其破壞如下圖1所示,所以我們建議這種帶有高深寬比的結構的樣品最好使用兆聲輔助而不是超聲輔助處理。由于溶解的光刻膠的含量增加,去膠劑隨著(zhù)長(cháng)時(shí)間的發(fā)展其去膠效果在逐漸變弱。即使仍未達到理論上的飽和極限(遠高于50%的固含量),使用過(guò)溶液會(huì )隨著(zhù)顆粒的富集并變得不透明,因此不再適合進(jìn)行重復清洗。常見(jiàn)的做法是級聯(lián)清洗。在此過(guò)程中,去除劑用于三個(gè)不同的清洗步驟。將樣品放在第一個(gè)溶液池中,此步驟中幾乎完全去除光刻膠殘留物。然后將樣品轉移到第二個(gè)溶液池中,然后轉移到第三個(gè)槽中,在最后一個(gè)步驟后用去離子水沖洗干凈。一旦達到預定的溶解能力,就將第一個(gè)浴液丟棄,將第二個(gè)和第三個(gè)浴液向上移動(dòng)一個(gè)位置。
圖1 LIGA工藝中使用超聲40k Hz(左圖)以及兆聲1M Hz處理后的結構損壞情況
除此之外的功能還可以通過(guò)強氧化酸來(lái)實(shí)現,例如王水,食人魚(yú),硫酸或硝酸。這些酸用于最終清潔。但是除了環(huán)境保護方面(廢酸的處理),這些混合物通常不僅侵蝕光刻膠,而且也會(huì )腐蝕襯底表面的其他材料。
在很多情況下,由于后續的工藝如過(guò)高的溫度、長(cháng)時(shí)間干法刻是、高劑量的離子注入后都會(huì )導致光刻膠膜的交聯(lián)度太高或者光刻膠膜發(fā)生變性甚至碳化,從而無(wú)法利用濕法除光刻膠,這時(shí)候我們可以采用氧等離子去膠機進(jìn)行去膠。 需要注意,市面上常見(jiàn)的等離子去膠機有射頻和微波等離子去膠機兩種。兩者的本質(zhì)區別是等離子的激發(fā)方式不一樣,對應的反應方式也是有區別的,射頻等離子去膠機除了氧等離子與碳氫化合物反應外,還伴隨這比較重的離子轟擊樣品表面,會(huì )有一定的物理?yè)p傷,在光電子器件等對損傷敏感的應用中需要注意。另外,氧等離子體有可能會(huì )氧化襯底或者襯底表面的其他材料如鋁膜等。