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產(chǎn)品與服務(wù)

MEMS加工

全套的MEMS加工工藝服務(wù)—可實(shí)現(xiàn)4/6/8英寸以下mems芯片代加工，擁有光刻、離子注入機(jī)、CVD、鍍膜、刻蝕、晶圓鍵合、劃片、快速退火等芯片制造工藝。

特殊工藝開(kāi)發(fā)

基于MEMS加工方面多年的經(jīng)驗(yàn)積累——可完美實(shí)現(xiàn)客戶(hù)所提要求，并提供定制化的特殊工藝開(kāi)發(fā)，形成工藝建議和成套解決方案。

高效服務(wù)

專(zhuān)業(yè)化的MEMS代工服務(wù)—在保證工藝質(zhì)量的前提下，可提供實(shí)驗(yàn)加急服務(wù)，可大大節(jié)約客戶(hù)等待時(shí)間，及時(shí)獲得實(shí)驗(yàn)結(jié)果。

測(cè)試服務(wù)

強(qiáng)大的資源優(yōu)勢(shì)—提供更多的測(cè)試可能，針對(duì)客戶(hù)特殊的測(cè)試需求，實(shí)現(xiàn)定制化測(cè)試方案設(shè)計(jì)，設(shè)備資源整合以及分析測(cè)試結(jié)果報(bào)告。

快速制版

從瑞典、日本、德國(guó)等國(guó)引進(jìn)掩模版直寫(xiě)光刻制作系統(tǒng)及檢查測(cè)量設(shè)備，強(qiáng)大的生產(chǎn)能力可實(shí)現(xiàn)三天交付，為客戶(hù)提供集掩模版設(shè)計(jì)、研發(fā)、制作為一體的專(zhuān)業(yè)服務(wù)。

關(guān)于我們

蘇州硅時(shí)代電子科技有限公司（Si-Era），位于國(guó)內(nèi)最大的MEMS產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)——蘇州納米城。利用MEMS領(lǐng)域近20年的技術(shù)積累，在MEMS傳感器、生物MEMS、光學(xué)MEMS以及射頻MEMS方面都擁有大量的設(shè)計(jì)和工藝經(jīng)驗(yàn)。
基于成熟的設(shè)計(jì)及工藝團(tuán)隊(duì)，蘇州硅時(shí)代面向MEMS領(lǐng)域，提供全方位的技術(shù)服務(wù)?？商峁㎝EMS芯片定制設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)、集成電路芯片設(shè)計(jì)、MEMS芯片工藝驗(yàn)證、MEMS芯片小批量試制、MEMS芯片中試化量產(chǎn)、MEMS芯片封裝方案設(shè)計(jì)等系統(tǒng)解決方案，也提供MEMS設(shè)計(jì)、加工、測(cè)試等單步或多步工藝實(shí)驗(yàn)開(kāi)發(fā)。

新聞

快速退火工藝（二）

2023-11-17

鹵素?zé)艄芡嘶穑℉alogen Lamp Annealing）是一種用燈管作為熱源的退火方式，其特點(diǎn)如下：高溫：鹵素?zé)艄芡嘶鸬臏囟瓤梢赃_(dá)到1300攝氏度以上，可以快...

11.17

2023

快速退火工藝（一）

快速熱退火是用各種熱輻照源，直接照射在樣品表面上，迅速將樣品加熱至700~1200℃左右...

10.16

2023

離子鍍膜

離子鍍是一種在真空環(huán)境中，利用高壓氣體放電將鍍料蒸發(fā)后離子化，沉積在產(chǎn)品表面形成...

10.13

2023

常規(guī)ICP刻蝕的操作流程

（一）裝片：1，在Pump 界面點(diǎn)擊左邊Pump 圖標(biāo)下Stop，切換至Vent ，120s 后打開(kāi)...

10.09

2023

分子束外延的技術(shù)難點(diǎn)

分子束外延是50年代用真空蒸發(fā)技術(shù)制備半導(dǎo)體薄膜材料發(fā)展而來(lái)的。隨著超高真空技術(shù)的...

10.07

2023

離子注入的阻滯機(jī)制

當(dāng)離子轟擊進(jìn)入硅襯底后，與晶格原子碰撞將逐漸失去能量，最后停留在硅襯底內(nèi)。有兩種...

09.26

2023

MEMS開(kāi)關(guān)

MEMS器件在射頻比如無(wú)線(xiàn)通信上有很好的應(yīng)用。RF MEMS諧振器和誘導(dǎo)器品質(zhì)因子...

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